氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展Research Progress of Physical Failure Analysis Techniques for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors
安蒙恩, 修慧欣
应用物理Vol.13 No.6, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2023.136032, June 16 2023
基于单铬酞菁分子自旋场效应管第一性原理研究First Principles Study on Transport of Single Chromium Phthalocyanine Molecular Spin Field Effect Transistor
张 洋, 尹海涛
应用物理Vol.11 No.11, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/APP.2021.1111046, November 30 2021
一种限域生长有机半导体晶体的方法A Method for Growing Organic Semiconductor Crystals in Limited Area
于亚民, 张 茜 国家自然科学基金支持
纳米技术Vol.10 No.1, 全文下载: PDF HTML XML DOI:10.12677/NAT.2020.101001, February 10 2020
介质厚度不同对碳纳米管场效应晶体管的影响The Influence of Different Gate Oxide Thickness on Carbon Nanotube Transistors
余文娟 国家自然科学基金支持
应用物理Vol.4 No.5, 全文下载: PDF HTML DOI:10.12677/APP.2014.45011, May 26 2014
Zn2+掺杂Sr3Co2Fe24O41六角铁氧体的磁性质研究 The Effect of Zn2+ Substitution on Magnetic Properties of Z-Type Hexaferrite Sr3Co2Fe24O41
姜 晨, 汤如俊, 杨 浩 国家自然科学基金支持
应用物理Vol.4 No.3, 全文下载: PDF HTML DOI:10.12677/APP.2014.43003, April 28 2014
基于时间解析PIV技术的圆柱尾流速度场精确测量Accurate Measurement of Cylinder Wake Velocity Field Based on Time-Resolved PIV Technology
耿子海, 张 超, 赵 峰, 陈钰婷
应用物理Vol.14 No.10, 全文下载: PDF XML DOI:10.12677/app.2024.1410074, October 31 2024