《Applied Surface Science》

Contact Formation in SiC Devices

作者:
B Pécz

关键词:
ContactsSiCElectron microscopySolid phase reactions

摘要:
For Schottky purposes, multilayered contacts of Ti/Pt/Au/Ti can be used up to 57502°C, while WN x contacts are rectifying at least up to 80002°C.

在线下载

相关文章:
在线客服:
对外合作:
联系方式:400-6379-560
投诉建议:feedback@hanspub.org
客服号

人工客服,优惠资讯,稿件咨询
公众号

科技前沿与学术知识分享