JAPC  >> Vol. 13 No. 1 (February 2024)

物理化学进展
Journal of Advances in Physical Chemistry
Vol.13 No.1(2024), Paper ID 77911, 6 pages
DOI:10.12677/JAPC.2024.131001

外加电场对空位缺陷下硫硒化钼/石墨烯异质结构的电子性质调控
Regulation of the Electronic Properties of the MoSSe/Graphene Heterostructure under Vacancy Defects by the Applied Electric Field

张康新,王远帆,谢 泉:贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵州 贵阳

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张康新, 王远帆, 谢泉. 外加电场对空位缺陷下硫硒化钼/石墨烯异质结构的电子性质调控[J]. 物理化学进展, 2024, 13(1): 1-7. https://doi.org/10.12677/JAPC.2024.131001