氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Research Progress of Physical Failure Analysis Techniques for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors
安蒙恩,修慧欣：上海理工大学材料与化学学院，上海
版权 © 2017 安蒙恩, 修慧欣。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品；您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。