NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响
Effect of NO Post-Oxide-Annealing on TDDB Reliability of 4H-SiC MOS Oxidation
万彩萍,王世海,周钦佩,许恒宇：中国科学院微电子研究所，北京；王影杰：北方工业大学，北京；张文婷：全球能源互联网研究院有限公司，先进输电技术国家重点实验室，北京
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