NST  >> Vol. 12 No. 2 (April 2024)

核科学与技术
Nuclear Science and Technology
Vol.12 No.2(2024), Paper ID 85924, 10 pages
DOI:10.12677/nst.2024.122013

CMOS集成电路总剂量效应加固技术研究现状
Research Status of Total Dose Effect of CMOS Integrated Circuit

梁泽宇,庞洪超,李兴隆,骆志平:中国原子能科学研究院核安全与环境工程技术研究所,北京

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梁泽宇, 庞洪超, 李兴隆, 骆志平. CMOS集成电路总剂量效应加固技术研究现状[J]. 核科学与技术, 2024, 12(2): 118-128. https://doi.org/10.12677/nst.2024.122013