APP  >> Vol. 10 No. 12 (December 2020)

基于晶格动力学的硅单晶热学性质研究(IV)——数值计算与低温负热膨胀机制研究
Study on Thermal Properties of Silicon Single Crystal Based on Lattice Dynamics (IV)—Numerical Calculation and Study on Mechanics of Negative Thermal Expansion at Low Temperature

贺业鹏,黄建平:湖南师范大学信息科学与工程学院,湖南 长沙

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贺业鹏, 黄建平. 基于晶格动力学的硅单晶热学性质研究(IV)——数值计算与低温负热膨胀机制研究[J]. 应用物理, 2020, 10(12): 490-496. https://doi.org/10.12677/APP.2020.1012064