NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响Effect of NO Post-Oxide-Annealing on TDDB Reliability of 4H-SiC MOS Oxidation
万彩萍, 王影杰, 张文婷, 王世海, 周钦佩, 许恒宇 下载量: 1,361 浏览量: 4,423
智能电网 Vol.8 No.3, June 28 2018, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/SG.2018.83032 被引量