碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展
Theoretical Research Progress of Carbon Existing Forms in the Oxide Layer Interface of SiC MOS Devices
王晓琳, 王方方, 李 玲, 郑 柳, 秦福文, 朱韫晖, 李永平, 刘 瑞, 杨 霏, 王德君 下载量:
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智能电网
Vol.6 No.1, February 22 2016, PDF,
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DOI:10.12677/SG.2016.61002 被引量