GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向生长的研究进展Research Progress on GaAs/InGaAs Heterostructure Nanowires Directional Epitaxy Growth
曾丽娜, 李 林, 李再金, 乔忠良, 曲 轶, 彭鸿雁 下载量: 845 浏览量: 1,795 科研立项经费支持
光电子 Vol.10 No.1, March 4 2020, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/OE.2020.101002 被引量
诱导层成膜对弱外延OTFT的影响The Influence of the Inducement Layer on WEG OTFT
洪 飞, 谭 莉, 朱棋锋, 向长江, 郭晓东, 申剑锋 下载量: 3,547 浏览量: 10,601 科研立项经费支持
应用物理 Vol.2 No.4, October 31 2012, PDF, , DOI:10.12677/APP.2012.24023 被引量
掺磷多晶硅的干法刻蚀工艺研究Research on Dry Etching Process of Phosphorus-Doped Polysilicon
刘 瑞, 白 雪, 武晓玮, 葛 欢, 赵万利, 孙俊敏, 李 玲, 吴 昊 下载量: 554 浏览量: 3,347 国家科技经费支持
应用物理 Vol.10 No.12, December 29 2020, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/APP.2020.1012066 被引量
酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长Self-Assembled Growth of Ordered CuPc Nanostructures
宋 礼, 王 轩, 陈 露, 宋欢欢, 张永平 下载量: 3,541 浏览量: 18,920 科研立项经费支持
物理化学进展 Vol.4 No.2, May 29 2015, PDF, , XML DOI:10.12677/JAPC.2015.42009 被引量
退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究The Influence of Annealing Temperature on the Properties of MoS2 Nanometer Thin Film
林 拉, 陈康烨, 何 杰, 张国瑞, 顾伟霞, 马锡英 下载量: 3,889 浏览量: 14,032 科研立项经费支持
纳米技术 Vol.3 No.3, November 4 2013, PDF, , XML DOI:10.12677/NAT.2013.33005 被引量
源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析Analysis of the Influence of Source Follower Ion Implantation on RTS Noise
王 玮 下载量: 64 浏览量: 100
光电子 Vol.14 No.2, June 18 2024, PDF, , XML DOI:10.12677/oe.2024.142003 被引量
SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管的制备及电学特性Preparation and Electronic Properties of Piezopotential Gated Two-Dimensional SnO/AlN Composite Thin Film FETs
张 哲, 李梦轲, 韩 月, 姜 珊, 刘 俊, 柳 婕, 刘 阳, 李 旺 下载量: 511 浏览量: 751 国家自然科学基金支持
材料科学 Vol.11 No.1, January 27 2021, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/MS.2021.111005 被引量
基于回音壁腔光力系统的光学三极管Photonic Transistor Device Based on a Whispering Gallery Mode Cavity Optomechanical System
邓小熈, 陈华俊, 李学超 下载量: 1,641 浏览量: 3,650 科研立项经费支持
现代物理 Vol.7 No.4, July 21 2017, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/MP.2017.74015 被引量
纸上铅笔电阻特性及其影响参数的研究Study on the Resistance Characteristics of Pencil on Paper and Its Influence Parameters
葛 玉, 龙 燕, 刘树成 下载量: 762 浏览量: 3,860
应用物理 Vol.10 No.4, April 1 2020, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/APP.2020.104029 被引量
Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善The Improvement of Ohmic Contacts Property in P-Type 4H-SiC LDMOSFET Using Ti(20 nm)/Al(30 nm) Electrodes
裴紫微, 陈 晨, 杨 霏, 许恒宇, 张 静, 万彩萍, 刘金彪, 李俊峰, 金 智, 刘新宇 下载量: 2,531 浏览量: 6,312
智能电网 Vol.5 No.6, December 30 2015, PDF, , XML DOI:10.12677/SG.2015.56036 被引量