源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析Analysis of the Influence of Source Follower Ion Implantation on RTS Noise
王 玮 下载量: 68 浏览量: 104
光电子 Vol.14 No.2, June 18 2024, PDF, , XML DOI:10.12677/oe.2024.142003 被引量
4H-SiC高温激活退火对F离子扩散的影响Effect of High-Temperature Activation Annealing on F Ion Diffusion in 4H-SiC
万彩萍, 王世海, 周钦佩, 许恒宇 下载量: 1,702 浏览量: 5,579 科研立项经费支持
智能电网 Vol.8 No.1, February 6 2018, PDF, HTML, XML DOI:10.12677/SG.2018.81002 被引量