基本情况

张保平 (Bao-ping ZHANG)，厦门大学物理系闽江学者特聘教授，日本东京大学特任教授。

 

主要经历

2010年7月-今 太原理工大学客座教授

2009年10月-今 嘉庚学院兼职教授

2008年8月-今 厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心

2006年1月-今 厦门大学物理系闽江学者特聘教授

2011年7月-9月 日本东京大学特任教授

2009年8月 日本东京大学特任教授

2008年1-3月 日本东北大学客座教授

2007年11月 日本东京理科大学客座教授

2005年4月-2006年5月 （日本）科学技术振兴机构 研究员 / 理化学研究所访问研究员

1999年6月-2005年9月 （兼）(日本)東北大学大学院理学研究科物理专业客座副教授

1999年4月-2005年3月 （日本）理化学研究所 光物性研究Group研究员

1998年3月-1999年3月 （日本）SHARP公司电子部品研究所主任

1994年7月-1998年3月 （日本）理化学研究所光物性研究Group研究员

1990年4月-1994年6月 （日本）東京大学大学院工学系研究科物理工学（应用物理）专业博士研究生

1989年4月 （日本）東京大学大学院工学系研究科进修生

1986年3月-1989年3月 河北半导体研究所（光电子器件研究室）助理工程师

1983年9月-1986年2月 河北半导体研究所（中国电子科技集团第十三研究所）硕士

1979年9月-1983年7月 兰州大学物理系

 

研究领域

宽禁带半导体微纳米结构和量子结构的制作及其光学性能的研究、光通信用InGaAsP/InP半导体激光器，探测器等。

 

论文发表

  1. X.-L. Hu, J.-Y. Zhang, W.-J. Liu, M. Chen, B.-P. Zhang*, B.-S. Xu and Q.-M Wang, “Resonant-cavity blue light-emitting diodes fabricated by two-step substrate transfer Technique”, Electronics Letters, in press.
  2. Shuo Lin, Bao P Zhang*, Sheng W Zeng, Xiao M Cai, Jiang Y Zhang, Shao X Wu, An K Ling, Guo E Weng, "Preparation and properties of Ni/InGaN/GaN Schottky barrier photovoltaic cells", Solid State Electronics, in press.
  3. C. M. Wu, B. P. Zhang*, J. Z. Shang, L. E. Cai, J. Y. Zhang, J .Z. Yu and Q. M. Wang, "High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD", Semicond. Sci. Technol., 26, 055013(2011).
  4. L. E. Cai, B. P. Zhang*, J. Y. Zhang, C. M. Wu, F. Jiang, X. L. Hu, M. Chen and Q. M. Wang "Improvement of efficiency droop of GaN based light emitting devices by a rear nitride reflector", Physica E, 43 (2010)289-292.
  5. F. Jiang, L. E. Cai, J. Y. Zhang and B. P. Zhang*, "Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN", Physica E, 42 (2010)2420–2423.
  6. X. L. Hu, J. Y. Zhang, J. Z. Shang, W. J. Liu, B. P. Zhang*, "The exciton-longitudinal- optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses",Chinese Physics B, (2010) 117801.
  7. C. M. Wu, J. Z. Shang, B. P. Zhang*, J. Y. Zhang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, "Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition", SCIENCE CHINA Technological Sciences 53, (2010) 313-316.
  8. S. W. Zeng, X. M. Cai and B. P. Zhang*, "Demonstration and study of photovoltaic performances of InGaN p-i-n homojunction solar cells", IEEE J. Quantum Electronics, 46, (2010) 783-787.
  9. X. M. Cai, S. W. Zeng and B. P. Zhang*, "Favourable photovoltaic effects in InGaN pin homojunction solar cell", Electronics Letters, 24 (2009) 1266.
  10. C. Y. Liu, B. P. Zhang*, Z. W. Lu, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, R. Mu, "Fabrication and characterization of ZnO film based UV photodetector", J Mater Sci: Mater Electron, 20 (2009) 197 .
  11. J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, Q. M. Wang, “Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells”, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 161110.
  12. X. M. Cai, S. W. Zeng and B. P. Zhang*, "Fabrication and characterization of InGaN p-i-n homojunction solar cell", Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 173504.
  13. S. W. Zeng, B. P. Zhang*, J. W. Sun, J. F. Cai, C. Chen and J. Z. Yu, “Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells”, Semiconductor Science and Technology, 24 (2009) 055009.
  14. 吴超敏，尚景智，张保平*，余金中，王启明，“蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜的制作”，半导体光电30，555 （2009）
  15. J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, S. Q. Li，F. Lin, J. Z. Shang, D. X. Wang, K. C. Lin，J. Z. Yu, and Q. M. Wang, “Blue-Violet Lasing of Optically Pumped GaN-Based Vertical Cavity Surface Emitting Laser With Dielectric Distributed Bragg Reflectors”, Journal of Lightwave Technology, 27 (2009) 55-59.
  16. J. Z. Shang, B. P. Zhang*, M. H. Mao, L. E. Cai, J. Y. Zhang, Z. L. Fang, B. L. Liu, J. Z. Yu , Q. M. Wang , K. Kusakabe and K. Ohkawa,“Growth behavior of AlInGaN films”，Journal of Crystal Growth，311 (2009) 474-477.
  17. J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, S. Q. Li，F. Lin, J. Z. Shang, D. X. Wang, K. C. Lin，J. Z. Yu and Q. M. Wang, “Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum wells active region”, Appl. Phys. Lett., 93 (2008) 191118.
  18. J. W. Sun and B. P. Zhang*, “Well-width dependence of exciton-longitudinal- optical phonon coupling in MgZnO/ZnO single quantum wells”, Nanotechnology, 19 (2008) 485401.
  19. 张保平*，蔡丽娥，张江勇，李水清，尚景智，王笃祥，林峰，林科闯，余金中，王启明，“GaN基垂直腔面发射激光器的研制”，厦门大学学报(自然科学版)，47(2008)617-619
  20. J. Z. Shang, B. P. Zhang*, C. M. Wu, L. E. Cai, J. Y. Zhang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN-Sapphire templates”, Applied Surface Science，255 (2008) 3350–3353.
  21. 尚景智，张保平*，吴超敏，蔡丽娥，张江勇，余金中，王启明，MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜， 光电子•激光，19 (2008) 1592-1594.
  22. L. E. Cai, J. Y. Zhang, B. P. Zhang*, S. Q. Li, D. X. Wang, J. Z. Shang, F. Lin, K. C. Lin, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “Blue-green optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser”, Electronics Letters, 44 (2008) No.16, 972-974.
  23. B. P. Zhang*, B. L. Liu, J. Z. Yu, Q. M. Wang, C. Y. Liu, Y. C. Liu, and Y. Segawa, “Photoluminescence and built-in electric field in ZnO/Mg0.1Zn0.9O quantum wells”, Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 132113.
  24. B. P. Zhang, K. Shimazaki, T. Shiokawa, M. Suzuki, K. Ishibashi, and R. Saito: “Stimulated Raman scattering from individual single-wall carbon nanotubes”, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 241101.
  25. T. Shiokawa, B. P. Zhang, M. Suzuki, and K. Ishibashi, "Low pressure chemical vapor deposition of single-wall carbon nanotubes", Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L605 - L607.
  26. B. P. Zhang, K. Shimazaki, M. Suzuki, T. Shiokawa, and K. Ishibashi: “Fabrication of luminescent carbon nanotubes”, Microelectronic Engineering, 83 (2006) 1736-1739.