Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的制备及特性研究
Preparation and Characterization of Channeled β-Ga2O3 Semiconductor Thin Film Optoelectronic Devices Doped with Cu and Sn Elements
刘 畅,刘 俊,刘 源,胡馨月,李 旺,柳 婕,李梦轲：辽宁师范大学，物理与电子技术学院，辽宁 大连
版权 © 2017 刘 畅, 刘 俊, 刘 源, 胡馨月, 李 旺, 柳 婕, 李梦轲。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品；您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。