OE  >> Vol. 11 No. 4 (December 2021)

p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征
XRD Characterization of PTCDA Thin Films Grown by Evaporation on p-Si(110) Substrate

李 霞,孙 硕,张福甲:兰州大学物理学院微电子学研究所,甘肃 兰州

版权 © 2017 李 霞, 孙 硕, 张福甲。本期刊文章已获得知识共享署名国际组织(Creative Commons Attribution International License)的认证许可。您可以复制、发行、展览、表演、放映、广播或通过信息网络传播本作品;您必须按照作者或者许可人指定的方式对作品进行署名。

How to Cite this Article


李霞, 孙硕, 张福甲. p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征[J]. 光电子, 2021, 11(4): 190-196. https://doi.org/10.12677/OE.2021.114022