NAT  >> Vol. 9 No. 3 (August 2019)

纳米技术
Hans Journal of Nanotechnology
Vol.9 No.3(2019), Paper ID 31788, 6 pages
DOI:10.12677/NAT.2019.93012

硫化钨薄膜的制备及光电特性研究
Preparation and Photoelectric Properties of Tungsten Disulfide (WS2) Films

许 珂,丁 馨,徐 铖,朱 琳,桑雨欣,马锡英:苏州科技大学数理学院,江苏 苏州

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许珂, 丁馨, 徐铖, 朱琳, 桑雨欣, 马锡英. 硫化钨薄膜的制备及光电特性研究[J]. 纳米技术, 2019, 9(3): 101-106. https://doi.org/10.12677/NAT.2019.93012