APP  >> Vol. 8 No. 11 (November 2018)

随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究
Study on the Influence of Random Doping on the Threshold Voltage of Ultra Deep Submicron SOI MOSFETs

苏亚丽:西安石油大学,机械工程学院,陕西 西安;
杨江江:西安交通大学,微电子学院,陕西 西安

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苏亚丽, 杨江江. 随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究[J]. 应用物理, 2018, 8(11): 472-479. https://doi.org/10.12677/APP.2018.811060